STD100N03LT4技术资料：MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
标准包装：2,500系列：STripFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.5 毫欧 @ 40A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2060pF @ 25V功率 - 最大值：110W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
